北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型復合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動型，又具有通態壓降低、高電壓、大電流的優點。接下來小編將以英飛凌IGBT模塊為例，為大家簡單介紹一下關于北京英飛凌IGBT模塊選型、保存以及使用的相關信息！

　　

　　1、北京英飛凌IGBT模塊的選型要點：英飛凌模塊選型的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關，在實際使用中，當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大，與此同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，在選擇英飛凌IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，尤其是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。

　　

　　2、北京英飛凌IGBT模塊的保存要點：對于英飛凌IGBT模塊等產品的保存，使用者應特別注意，一般要求保存環境要滿足常溫常濕狀態，不應偏離太大，具體要達到常溫5～35℃之間，常濕應達到45～75％左右，如果是在冬季，應使用加濕機加濕，與此同時，保存環境周圍應保證沒有腐蝕性氣體或灰塵。zui后再保管的過程中，要避免出現溫度發生急劇變化，同時在英飛凌IGBT模塊上請勿堆放重物。

　　

　　3、北京英飛凌IGBT模塊的使用要點：在使用英飛凌IGBT模塊的過程中，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；此外，在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊，盡量在底板良好接地的情況下操作；在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。