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賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

型    號: SKM300GB176D
報    價: 999
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賽米控IGBT模塊SKM400GB176D
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊電容

詳細資料:

賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

SEMIPACK系列產品包括晶閘管,整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊。由于這些年來各式各樣的修改,SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的可靠性的家簇,有著廣泛的輸出電流,從15A到1200A,電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動,晶體化AC電機控制器的線性整流,DC電機控制以及電源,溫度控制



北京京誠宏泰科技有限公司銷售賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

  • 優點:熱穩定性好、安全工作區大。

  • 缺點:擊穿電壓低,工作電流小。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。

  • 特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

  • 電動機

  • 不間斷電源

  • 太陽能面板安裝

  • 電焊機

  • 電源轉換器與反相器

  • 電感充電器

  • 電磁爐


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德國 SEMIKRON 賽米控IGBT模塊1200V/1700V系列:
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